A CBN heteroepitaxiája

A gyémánt szubsztrátként történő felhasználása, amelynek rácsos állandója van, és a felszíni energiája nagyon közel van a CBN -hez, lehetővé teszi a CBN heteroepitaxiális növekedését. Ezen epitaxiális single - Crystal CBN vékony fóliák sikere lehetővé tette a CBN vékony filmek hatékony felhasználását félvezető eszközök előállításához.

 

 

Ezenkívül más anyagok is felhasználhatók szubsztrátként a CBN -filmek heteroepitaxiális növekedésére is. Például a szilícium -szubsztrát pre - kezelése után a TBN közvetlenül a szubsztráton termeszthető, hatékonyan csökkentve az átmeneti réteg vastagságát.

 

A Chinadiatools weboldal közzéteszi és megosztja a legújabb, legátfogóbb és profi információkat a gyémánt eszközökről és a CBN eszközökről.